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碳化硅襯底的加工工藝主要包括以下幾個(gè)關(guān)鍵步驟?：

?原料準(zhǔn)備與晶體生長?：

將高純的硅粉和碳粉按工藝配方均勻混合，高溫反應(yīng)去除雜質(zhì)，得到特定晶型和顆粒度的碳化硅顆粒。

在接近真空、低壓、高溫的密閉生長腔內(nèi)加熱碳化硅粉末，使其升華成反應(yīng)氣體。

反應(yīng)氣體在溫度梯度驅(qū)動(dòng)下沉積在籽晶表面，形成圓柱狀的碳化硅晶錠?1。

?晶體切割與定向?：

使用砂漿線切割、金剛線切割或激光剝離等技術(shù)將碳化硅晶錠沿一定方向切割成薄片，得到碳化硅晶片。

通過晶體定向技術(shù)控制晶體生長方向，確保晶片的質(zhì)量?。

?襯底加工?：

?切割?：初步切割晶片，此過程可能產(chǎn)生切口損耗和磨拋損耗。

?研磨?：包括粗磨和精磨兩個(gè)環(huán)節(jié)。粗磨使用較大粒徑的磨粒去除切片表面的損傷層；精磨則使用較小粒徑的磨粒進(jìn)一步去除損傷，保證襯底面型精度。

?拋光?：采用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)，包括粗拋和超精密拋光，以去除機(jī)械損傷，提高鏡片表面質(zhì)量，達(dá)到原子級(jí)光滑?。

?清洗與檢驗(yàn)?：

對(duì)加工完成的碳化硅襯底進(jìn)行清洗，去除表面殘留的研磨液和拋光液。

進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量檢驗(yàn)，確保襯底符合規(guī)定的尺寸、表面粗糙度、平整度等要求?。